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IXFB210N20P
180
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
160
140
120
100
160
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
80
T J = 150oC
80
150oC
25oC
60
40
20
0
- 40oC
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 100V
I D = 105A
I G = 10mA
250
200
150
100
T J = 150oC
7
6
5
4
3
2
50
0
T J = 25oC
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
Cisss
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10,000
100
External Lead Limit
1,000
Coss
10
1ms
100
1
T J = 175oC
10ms
10
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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IXFB30N120Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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